据报道，中国台湾“研究中心”与鼎极科技于24日宣布合作开发“红外线奈秒激光应用于碳化硅（SiC）晶圆研磨制程”关键技术。这一技术可将晶圆破片率从5%降低至1%，裸晶圆研磨耗材成本从23美元降至0.1美元。

通过减少耗材使用、优化制程及简化流程三大解决方案，预计前期晶圆制造成本可降低超过10%，后期晶圆后制程成本可再减少20%。研究中心介绍，激光研磨技术可将每片碳化硅晶圆的研磨时间从三小时缩短至两小时，且不会对晶圆造成损伤。同时，晶圆硬度从约3000HV（维氏硬度试验）降至60HV，显著降低了加工时间和成本，为国产化合物半导体功率元件的量产铺平道路，助力电动车、再生能源及资通讯设备等领域的应用发展。

鼎极科技计划从今年起至2027年，与美国芯片制造商安森美（ON Semiconductor）捷克厂合作开展技术验证，从Beta-site测试逐步推进至试量产阶段，并将设备推广至欧洲市场。未来，该技术还将扩展至8英寸碳化硅晶圆及多层异质结构元件的应用领域，甚至有望用于其他高硬度材料的精密加工，如氮化镓、陶瓷基板及先进封装材料。