据韩国经济日报报道，随着高带宽存储器（HBM）技术的快速发展，半导体行业对晶圆剥离技术的需求日益增加，相关技术竞争也愈发激烈。HBM的升级推动了芯片堆叠层数的增加，预计HBM4将实现16层以上的堆叠。为了在有限空间内实现更多芯片堆叠，晶圆的厚度不断降低，这对剥离技术提出了更高要求。

剥离技术是半导体制造后段工艺中的重要环节，用于分离临时支撑的晶圆载体。传统的机械式剥离容易导致晶圆内部产生缝隙，难以满足超薄晶圆的工艺需求。因此，三星电子和SK海力士等企业正计划在HBM4中采用激光剥离技术。然而，激光剥离存在温度影响和单波长限制，仅能处理小范围区域。

为解决这些问题，韩国设备厂商ZEUS与美国封装企业PulseForge合作，开发出光子剥离设备。该技术使用一种受光后失去黏性的材料，通过均匀照射光线实现大面积一次性剥离，避免了晶圆损伤。ZEUS称，光子剥离设备可处理厚度为20微米的晶圆，每小时处理速度达40片，远高于机械式剥离的5~10片。此外，东京应化工业（TOK）也推出了名为“Zero Newton”的化学剥离设备，无需对晶圆施加物理力。

随着先进封装技术的普及，例如取消印刷电路板（PCB）的工艺，新型剥离技术的应用范围不断扩大。市场研究机构Wise Guy Reports预测，全球半导体激光剥离市场规模将从2024年的22亿美元增长至2032年的35亿美元，年均增长率达5.7%。

业内人士指出，HBM堆叠层数的增加对剥离技术的精度和稳定性提出了更高要求，剥离工艺或将成为半导体封装领域的关键变量。