三星2nm良率被曝提至40%,计划量产Exynos 2600芯片
来源:林慧宇 发布时间:2025-04-12
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据韩媒asiae报道,三星计划于2025年11月量产首款采用2纳米工艺的Exynos 2600芯片。若该芯片顺利搭载于2026年初发布的Galaxy S26系列,三星将借此展示其2纳米技术实力,吸引更多外部客户。
Exynos 2600采用了Gate-All-Around(GAA)技术,这一工艺相比传统的FinFET技术更为先进。GAA技术通过四面环绕晶体管结构,显著提升了芯片性能并降低了功耗,满足高性能芯片需求。三星此前已率先实现3纳米GAA工艺的量产,但因良率较低,未能扭转代工业务的亏损局面。
新任Foundry事业部负责人韩真晚(Han Jinman)上任后,三星在2纳米工艺上取得了显著进展。他上任仅四个月,便着手优化生产良率,并全面调整了生产线和运营模式。目前,2纳米工艺的良率已从年初的20-30%提升至40%以上,远超3纳米时期的表现。
尽管如此,三星与行业龙头台积电的差距依然明显。据TrendForce数据显示,2024年第四季度,台积电的市场份额达67.1%,而三星仅为8.1%,首次跌至个位数。此外,台积电的2纳米工艺初期良率已达到60%,而量产通常需要良率达到70-80%。三星需在下半年进一步优化工艺,以缩小与台积电的差距。
韩真晚提出了“技术提升”和“客户拓展”两大目标,推动代工业务转型。他积极拓展三星的客户群,从北美大厂扩展至中国、印度和欧洲的设计公司,增加成熟制程订单,以降低固定成本并提升竞争力。

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