据EE Times报道，英伟达创始人兼首席执行官黄仁勋在GTC 2025的媒体问答环节中提到，采用GAA晶体管架构的下一代半导体制程技术可为芯片带来约20%的性能提升。不过，他指出更大的性能增长将依赖于GPU架构和软件的创新设计。

三星在2022年6月底率先量产了3nm工艺，首次实际应用了GAA（Gate-All-Around）晶体管架构，取代了自2011年起广泛使用的FinFET晶体管架构。而台积电在3nm制程节点上并未引入GAA架构，而是计划在2nm制程节点上才采用这一技术。英特尔也将在其Intel 18A制程中引入类似设计的RibbonFET晶体管架构。

黄仁勋还提到，随着摩尔定律的放缓，新一代制造工艺的改进幅度仅在20%左右。尽管先进制程技术仍然受到关注，但其变革性已不如从前，其他因素变得愈发重要。他强调，数据中心目前更加注重每瓦性能，这与“我们处于物理极限”的讨论并无直接关联。

这一讨论源于现场有人提问英伟达未来是否会考虑选择三星代工。黄仁勋并未明确提及具体工艺或代工厂。按照台积电此前的说法，其初代2nm工艺相比3nm工艺，性能将提升10%到15%，或者功耗降低25%到30%。