在3月25日举行的SEMICON异构集成（先进封装）国际会议上，青禾晶元创始人兼董事长母凤文博士发表了主题演讲，分享了中国半导体企业在键合技术领域的最新进展。他详细阐述了键合技术如何成为推动半导体产业升级的关键力量。

键合技术作为半导体制造的核心工艺之一，正在引领行业进入“第三波材料技术浪潮”。母凤文博士指出，随着摩尔定律逐渐接近物理极限，通过异质材料融合与三维集成实现性能突破，已成为全球半导体产业的重要方向。

母凤文博士在技术分享环节中介绍了青禾晶元在超高真空室温键合领域的创新成果。相比传统技术，该技术具有无反应层、无需升降温等优势，能够实现高精度、高产出的宽禁带半导体材料无损集成，为客户提供显著的成本效益。

在三维集成领域，青禾晶元推出了全球首创的C2W/W2W双模混合键合设备，解决了HBM内存堆叠中的互连瓶颈问题。母凤文博士表示：“在HBM4要求的720微米厚度内实现16层DRAM堆叠，混合键合技术必不可少。”此外，室温键合技术还成功实现了LT与硅、蓝宝石等材料的可靠结合，为5G射频器件提供了关键支持。

临时键合技术也取得重要进展，无机物方案可耐受1000℃高温，厚度控制精度达亚微米级，更适合存储器、CIS等器件的超薄晶圆加工需求。

演讲最后，母凤文博士展望了键合技术的未来。他表示，随着AI、自动驾驶等新兴应用的崛起，异质集成需求将呈现指数级增长。青禾晶元将继续加大研发投入，与全球合作伙伴共同推动半导体产业的技术革新。

青禾晶元半导体科技（集团）有限责任公司是中国一家专注于键合集成技术的高新技术企业，核心业务涵盖高端键合装备研发制造与精密键合工艺代工。公司已开发出四大自主知识产权产品矩阵，包括超高真空常温键合系统、混合键合设备等，为全球半导体产业链提供高精度、高性价比的解决方案。