2025年3月24日，国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司获得了一项名为“一种前驱体封装容器及气相沉积系统”的专利，授权公告号为 CN 222648108 U，申请日期为2024年6月。

专利摘要介绍，该实用新型公开了一种前驱体封装容器，包含第一腔体、第二腔体、缓冲腔体、通断控制组件和充抽组件。第一腔体用于存放液态和固态前驱体，具有第一进气管和第一排气管。载气通过第一进气管携带液态前驱体，与固态前驱体的蒸气混合后经第一排气管排出。第二腔体与第一腔体之间设有第一挡板，通过第一挡板向第一腔体补充液态前驱体。该封装容器通过缓冲腔体和第二腔体与充抽组件配合，可从外部向第一腔体补充液态前驱体，延长容器的使用时限，确保载气与前驱体充分接触，为气相沉积工艺提供稳定的前驱体来源，保障沉积成膜质量。

江苏第三代半导体研究院有限公司成立于2019年7月26日，位于苏州工业园区，由江苏省、苏州市、苏州工业园区及相关联盟和核心运营团队共同建设。2021年4月，科技部批准以该研究院为主体建设“国家第三代半导体技术创新中心”。公司专注于第三代半导体关键共性技术研发与成果转化，产品涵盖半导体材料和器件，并提供测试分析服务。