11月19日，在韩国第52届工业节纪念仪式上，SK海力士副总裁张泰洙因开发出采用10纳米级1c超精细工艺技术的16Gb DDR5 DRAM，获得了总统表彰。这一技术突破显著提升了半导体行业的竞争力。

张泰洙在采访中表示，随着第6代（1c）DDR5 DRAM的开发，SK海力士将进一步巩固其技术领先地位。他指出，新技术可提供超高速、低功耗的产品，有助于迅速进入高端市场，捕捉早期需求。此外，该技术对提升高带宽内存（HBM）性能也具有重要意义。

1c工艺技术不仅提升了内存性能，还降低了功耗，这对高性能计算（HPC）和人工智能（AI）的发展至关重要。张泰洙提到，减小DRAM单元尺寸可以在保持HBM芯片尺寸和高度的同时增加容量，助力HBM热管理，并加速AI行业的发展。

据SK海力士新闻编辑室报道，这次技术突破不仅是对公司研发能力的肯定，也预示着SK海力士在未来的市场竞争中占据有利位置。通过持续提升产品性能和效率，SK海力士致力于满足高性能计算和AI领域的需求，推动整个行业的进步，为全球科技发展贡献力量。

张泰洙作为一位专注于内存技术和器件研究长达20年的专家，参与了从44纳米到10纳米的10代核心技术开发。