3月17日，比亚迪在超级e平台技术发布会上宣布，其自主研发的全新一代1500V车规级碳化硅（SiC）功率芯片已实现量产。据TrendForce集邦咨询报道，这款芯片是全球首款量产的最高电压等级车规级SiC产品，将推动新能源汽车行业进入“高压快充+高性能驱动”的全新时代。

比亚迪的SiC功率芯片采用叠层激光焊技术，通过优化芯片互联结构，将杂散电感降低75%，电控效率提升至99.86%，过流能力增强10%。其1500V的电压等级不仅适配超级e平台的全域千伏架构，更可支持最高1000kW的充电功率，较行业主流600kW快充技术提升近70%。此外，芯片采用纳米银烧结技术替代传统焊接工艺，使连接层热阻降低95%，可靠性寿命提升5倍以上。

比亚迪的技术突破引发产业链连锁反应。其自建的4000座兆瓦闪充站网络，将加速公共充电基础设施升级，与蓝海华腾等企业的合作则推动国产SiC模块在电控系统中的广泛应用。

3月18日，安森美官微宣布推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM 31智能功率模块（IPM）系列。据悉，EliteSiC SPM 31 IPM与安森美IGBT SPM 31 IPM产品组合（涵盖15A至35A的低电流）形成互补，提供从40A到70A的多种额定电流。

该模块集成独立高边栅极驱动、低电压集成电路（LVIC）、六颗SiC MOSFET及温度传感器，通过优化短路耐受时间（SCWT）与热管理能力，显著降低系统损耗与体积。以数据中心电子换向（EC）风扇为例，相较于传统IGBT方案，SPM 31可将年能耗成本降低52%，同时支持更高频率的开关速度，满足AI服务器散热系统对高效稳定运行的需求。

安森美将目光投向工业电机驱动、热泵及商业暖通空调等领域。其SPM 31系列覆盖40A至70A电流等级，并与现有IGBT模块形成互补，提供行业最宽泛的集成化功率解决方案。在全球建筑能耗占比达27.6%的背景下，这一技术突破为工业领域实现低碳转型提供了关键支撑。

总体来看，安森美与比亚迪的技术进展分别指向能源转换与交通电动化两大领域，共同印证了碳化硅材料在高电压、高频率场景下的不可替代性。据TrendForce集邦咨询最新数据显示，碳化硅在汽车、可再生能源等功率密度和效率极其重要的应用市场中呈现加速渗透之势，未来几年整体市场需求将维持增长态势，预估2028年全球碳化硅功率器件市场规模有望达到91.7亿美元（约648亿人民币）。