据国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司近日申请了一项名为“一种氮化镓基化合物半导体激光器”的专利。这一专利涉及半导体激光元件技术领域。

专利摘要显示，该氮化镓基化合物半导体激光器从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层。其中，上波导层与上限制层之间加入了强布里渊光力耦合层。该层中，In/C、In/O、In/H元素比例分别遵循函数y＝A+x‑1/2x、y＝B+x‑1/2x、y＝C+x‑1/2x的第一四象限曲线分布。通过这一设计，该激光器能够有效降低激光光场耗散，抑制光场模式泄漏到衬底形成驻波，从而提升远场图像FFP质量、光束质量因子以及激光相干性。

天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司成立于2021年，位于安徽省六安市，是一家专注于计算机、通信和其他电子设备制造的企业。