Polar授权瑞萨电子硅基氮化镓技术在美国生产
来源:赵辉 发布时间:2025-04-18
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据日经、NHK等媒体报道,美国传感器与功率半导体制造商Polar Semiconductor与日本瑞萨电子达成战略合作协议,授权瑞萨使用其氮化镓覆硅基D模式(GaN-on-Si D-Mode)技术。双方将共同推动高电压650V等级GaN-on-Si半导体元件的商业化生产。
Polar位于美国明尼苏达州Bloomington的200mm(8寸)晶圆制造厂,已升级为符合车规级标准的先进工厂,配备了最新的制程与自动化设备。这一升级为满足下一代半导体需求奠定了基础。通过扩展至200mm晶圆尺寸,GaN技术在成本效率和创新架构方面的优势将得到进一步释放,从而加速市场采用。
瑞萨电子的电源产品事业群资深副总裁暨总经理Chris Allexandre表示,与Polar的合作不仅扩展了瑞萨成熟的GaN技术至200mm晶圆,还确保了产品在美国本土的生产能力,为客户提供更多元化的供应来源。Polar总裁暨营运长Surya Iyer则强调,Polar是美国唯一专注于传感器、电源与高电压半导体的本土独立晶圆代工厂,其制造能力将为关键国防计划提供支持。
此次合作的目标是将GaN元件的应用范围扩展至汽车、数据中心、消费性电子、工业应用、航太与国防等关键领域。同时,这项协议也符合美国当前推动半导体国内制造的政策趋势,确保尖端技术的稳定供应。
据报道,美国总统川普在2025年2月宣布对进口汽车征收25%关税的同时,还计划对半导体和医药品征收25%以上的关税,并在一年内进一步提高税率。此举意在推动全球企业将生产基地迁至美国,以规避关税。此外,在拜登政府任内,Polar曾于2024年5月获得约1.23亿美元的《芯片与科学法案》补助,用于明尼苏达州工厂的扩建,目标是在两年内实现产能翻倍。
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