杭州临安:爱矽科技园预计明年5月投用,打造第三代半导体产业集群
来源:龙灵 发布时间:2025-03-18 分享至微信
据杭州“临安发布”消息,爱矹科技园项目施工进度已完成40%,计划于今年年底前实现园区整体结顶,并争取在明年5月正式投入使用。该项目于2024年5月正式动工,定位为临安首个综合性集成电路产业园,涵盖芯片设计研发、先进封装测试以及功率器件封装测试等多元功能。

园区占地面积118亩,总建筑面积约20万平方米,包含9幢多层厂房、1幢高层车间和1幢办公楼。截至目前,已有3幢厂房主体结构完成封顶,其余6幢厂房施工进展顺利,已基本完成正负零施工。未来,爱矽科技园将成为爱矽科技的总部所在地,并配备第三代半导体研究院、多条先进生产线及相关配套设施,同时吸引多家半导体企业入驻,推动产业集聚。

图源:爱矽科技

据悉,园区除自用部分外,计划引入约15家企业,目前已成功签约8家。按照当前进展,预计到明年园区投用时,有望实现“开园即满园”的目标。

杭州作为长三角地区重要的科技创新中心,近年来在第三代半导体领域(以碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体材料为核心)积极布局。中欣晶圆与杭州资本合作建设的8英寸碳化硅外延片基地,年产能规划超过10万片,已进入多家车企验证阶段。富加镓业则成功突破6英寸氮化镓单晶衬底量产技术,良品率达到国际水平。此外,士兰微杭州子公司正建设12英寸特色工艺线,量产SiC MOSFET和GaN射频器件。总部位于杭州的瑞能半导体也开发了支持800V高压平台的SiC复合封装模块。

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