据台媒digitimes报道，SK海力士预计将独家为英伟达供应基于Blackwell Ultra架构芯片的第五代12层HBM3E存储芯片。此举将进一步扩大SK海力士与三星电子、美光等竞争对手在高带宽存储器（HBM）领域的技术差距。

SK海力士于2023年9月率先实现12层HBM3E芯片的量产，其单颗容量达到36GB，运行速度高达9.6Gbps。据测算，在搭载四颗HBM的GPU上运行“Llama 3 70B”大语言模型时，该芯片每秒可完成35次对700亿个参数的整体读取。这一性能表现巩固了SK海力士在高端存储芯片市场的领先地位。

据彭博社今年2月援引知情人士消息，三星电子已获准向英伟达供应8层堆叠的HBM3E芯片。尽管如此，三星在HBM技术领域的进展仍落后于SK海力士和美光。与此同时，美光执行副总裁兼首席财务官Mark Murphy在今年2月透露，其12层堆叠HBM3E产品即将进入大规模量产阶段。

SK集团会长崔泰源曾在2023年11月透露，英伟达CEO黄仁勋要求SK海力士提前六个月供应下一代高带宽内存芯片（HBM4）。按照计划，SK海力士将于2025年下半年推出采用12层DRAM堆叠的首批HBM4产品，并在2026年推出16层堆叠的HBM产品。