杭州镓仁半导体有限公司宣布成功研发全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶，采用完全自主创新的铸造法实现单晶生长，并可加工出相应尺寸的晶圆衬底。

镓仁半导体的这一突破具有深远的产业意义。首先，8英寸氧化镓单晶能够与现有硅基芯片厂的8英寸产线兼容，大大加快其产业化应用的步伐。其次，衬底尺寸的增大可提升利用率、降低生产成本并提高生产效率。此外，中国率先突破8英寸技术壁垒，不仅标志着我国在超宽禁带半导体领域的技术进步，也为我国在全球半导体竞争中抢占了先机。

镓仁半导体成立于2022年9月，位于杭州市萧山区，专注于氧化镓等宽禁带半导体材料及设备的研发、生产和销售。公司依托浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室，组建了一支以中科院院士杨德仁为首席顾问的顶尖研发团队。其开创的铸造法氧化镓单晶生长技术，具有成本低、效率高、简单可控等优势，且拥有完全自主知识产权。目前，镓仁半导体已实现6英寸衬底的产品销售出货。

自2022年成立以来，镓仁半导体的铸造法氧化镓单晶尺寸实现了每年提升一代的高速发展：2022年5月成功生长2英寸单晶，2023年5月生长4英寸单晶，2024年2月生长6英寸单晶，2025年2月成功生长8英寸单晶。