SK 海力士正全力投入新一代低功耗内存 LPDDR5M 的开发。LPDDR5M 的数据传输速率与现有的 LPDDR5T 一样，达到 9.6Gbps，不过在能效上有重大提升。它的工作电压从 1.01 - 1.12V 降低到 0.98V，能效提高了 8%。

同时，SK 海力士在高带宽内存（HBM）领域也有重要研发成果。现在，SK 海力士已经进入 12 层堆叠 HBM4 的试产阶段，良品率从去年底的 60% 提升到了 70%。这一成果得益于其采用 1β（b）nm（第五代 10nm 级别）工艺制造 DRAM 芯片，该工艺在性能和稳定性上都经过了充分验证，并且也会用于 HBM3E 产品的生产。

按照计划，SK 海力士会在 2025 年 6 月向英伟达提供 HBM4 样品，以满足其 Rubin 架构产品的需求。另外，SK 海力士预计今年下半年推出首批 12 层堆叠的 HBM4 产品，2025 年第三季度进入全面供应阶段，进一步稳固其在高端内存市场的领先地位。