铠侠与闪迪发布第10代3D闪存技术
来源:李智衍 发布时间:2025-02-22
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在存储技术持续创新的进程中,铠侠(Kioxia)与闪迪(Sandisk)在 2025 年的 ISSCC 展会上,联合推出了具有里程碑意义的第 10 代 3D 闪存技术。这项技术凭借 4.8Gb/s 的 NAND 接口速度、优异的电源效率以及更高的密度,为行业树立了全新标准。
该技术运用最新的 Toggle DDR6.0 接口标准和 SCA(分离指令地址)协议,搭配 PI-LTT(电力隔离低接触终端)技术,大幅提升了 NAND 接口速度。相较于当下大规模生产的第 8 代 3D 闪存,第 10 代产品的接口速度提高了 33%,达到 4.8Gb/s。这意味着数据读写速度将得到极大优化,无论是数据中心处理海量数据,还是高性能计算机追求快速响应,都能获得更高效的支持。
在电源效率方面,新技术成果斐然。借助 PI-LTT 技术,它成功使输入功耗降低 10%,输出功耗降低 34%。在提升性能的同时,有效降低了能耗,契合现代数据中心节能减排的迫切需求。对于人工智能、大数据分析等对计算资源和能源消耗巨大的领域而言,这种低功耗特性极具价值。
从存储密度来看,第 10 代 3D 闪存技术将存储层数增至 332 层,并优化布局以提高平面密度,位元密度提升了 59%。这使得存储设备能够在有限空间内存储更多数据,有力地满足了日益增长的数据存储需求。
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