在存储技术持续创新的进程中，铠侠（Kioxia）与闪迪（Sandisk）在 2025 年的 ISSCC 展会上，联合推出了具有里程碑意义的第 10 代 3D 闪存技术。这项技术凭借 4.8Gb/s 的 NAND 接口速度、优异的电源效率以及更高的密度，为行业树立了全新标准。

该技术运用最新的 Toggle DDR6.0 接口标准和 SCA（分离指令地址）协议，搭配 PI-LTT（电力隔离低接触终端）技术，大幅提升了 NAND 接口速度。相较于当下大规模生产的第 8 代 3D 闪存，第 10 代产品的接口速度提高了 33%，达到 4.8Gb/s。这意味着数据读写速度将得到极大优化，无论是数据中心处理海量数据，还是高性能计算机追求快速响应，都能获得更高效的支持。

在电源效率方面，新技术成果斐然。借助 PI-LTT 技术，它成功使输入功耗降低 10%，输出功耗降低 34%。在提升性能的同时，有效降低了能耗，契合现代数据中心节能减排的迫切需求。对于人工智能、大数据分析等对计算资源和能源消耗巨大的领域而言，这种低功耗特性极具价值。

从存储密度来看，第 10 代 3D 闪存技术将存储层数增至 332 层，并优化布局以提高平面密度，位元密度提升了 59%。这使得存储设备能够在有限空间内存储更多数据，有力地满足了日益增长的数据存储需求。