据韩媒The Guru援引中国国家知识产权局（CNIPA）数据报道，SK海力士与铠侠联合开发的一项碳基半导体选择器技术已在中国获得专利批准，专利号为CN119866175A。该技术涉及一种采用碳层的新型选择器结构及其制造方法，能够显著提升存储器元件的性能。

选择器作为存储器元件的核心组件，负责单独控制每个存储单元的开关操作。与传统的金属基选择器相比，这种新型碳基选择器通过向碳材料中注入掺杂剂来调控电阻特性，从而实现更高的热稳定性、更高的集成密度以及微型化潜力。这些特性使其特别适用于3D NAND闪存和新型非挥发性存储器元件。

此次专利的获批标志着SK海力士与铠侠在下一代存储器技术领域的深度合作。SK海力士在2021年至2024年10月期间向CNIPA申请的99项专利中，有67项由该公司获得，年增率约21%。此外，SK海力士还获得了多项与硬件高度整合和低功耗相关的专利，包括3D半导体元件（专利号CN119864335A）以及存储器管理技术（专利号CN119806385A）。

SK海力士与铠侠此前在高带宽存储器（HBM）领域有过合作，但核心元件的联合专利开发较为少见。分析认为，双方为应对先进制程极限和高集成化挑战，展开了战略性合作，以强化在全球存储器市场的竞争力。