铠侠突破技术壁垒,推出332层3D NAND存储器
来源:陈超月 发布时间:2025-02-21
分享至微信

日本存储巨头铠侠(Kioxia)宣布了一项震撼业界的消息:成功研发出堆叠层数高达332层的3D NAND存储器。相较于目前量产的218层产品,这一突破无疑展现了铠侠在存储技术领域的深厚实力。
据悉,这款全新的3D NAND存储器不仅堆叠层数大幅增加,其数据传输速度也实现了显著提升,高达4.8Gbps,较之前的产品提升了33%。
这意味着用户将享受到更加迅速、流畅的数据处理体验。同时,该存储器在功耗效率方面也表现出色,数据输入和输出时的功耗分别降低了10%和34%,实现了高效能与低功耗的完美平衡。
铠侠表示,这款332层3D NAND存储器将主要应用于人工智能(AI)数据中心等领域,以满足日益增长的数据存储需求。
此外,该技术还将应用于即将推出的第10代3D NAND存储器中,通过优化平面布局进一步提升存储密度和位元密度。
尽管具体量产时间尚未确定,但铠侠的这一技术突破无疑为存储市场注入了新的活力。未来,随着技术的不断成熟和量产的推进,这款332层3D NAND存储器有望成为存储领域的新标杆。
[ 新闻来源:陈超月,更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议,请联系微信客服specltkj]
存入云盘 收藏
举报
全部评论
暂无评论哦,快来评论一下吧!

陈超月
开创IC领域,共创美好未来!
查看更多
相关文章
铠侠发布第10代NAND存储器,性能提升30%
2025-02-21
铠侠与闪迪发布第10代3D闪存技术
2025-02-22
铠侠将推出122.88TB超大容量固态硬盘,采用最新3D闪存技术
2025-03-17
光子计算新突破:Lightmatter推出3D光子超级芯片
2025-04-01
存储器涨价在即,DRAM与NAND各有支撑
2025-02-18
热门搜索
亚德诺(ADI),最新授权分销商名单
英飞凌收购Marvell汽车业务
关税
华为
台积电
中芯国际
联发科
高通
英特尔