英飞凌宣布成功推出首批基于8英寸晶圆工艺的碳化硅（SiC）功率半导体产品。这些新产品将生产于奥地利菲拉赫工厂，主要应用于可再生能源、电动汽车及高压领域，力求提升能效和性能。此次突破标志着英飞凌在碳化硅技术领域的重要进展，也为其拓展电动汽车和其他高需求领域提供了强有力的技术支持。

为满足日益增长的市场需求，英飞凌还在扩展生产基地。马来西亚居林工厂正在顺利进行晶圆尺寸的转换，从150毫米提升至200毫米，并且新建的Module 3厂房已准备好进行大规模生产。这一工厂自2022年建设以来，投资逾20亿欧元，并计划到2027年全面转向8寸晶圆生产，进一步提升碳化硅的产量。

这项技术的突破不仅为电动汽车、电力系统和数据中心等领域提供了更高效、更环保的解决方案，也进一步巩固了英飞凌在全球半导体行业的领先地位。