4月8日，士兰微发布公告，详细披露了其碳化硅（SiC）项目的最新动态。据公告显示，士兰微的“士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片生产线”项目已实现月产9,000片的生产能力。公司自主研发的第Ⅱ代SiC-MOSFET芯片已成功应用于电动汽车主电机驱动模块，累计向4家国内车企交付5万只。随着产能逐步释放，相关产品已进入大批量交付阶段。此外，士兰微已完成第Ⅳ代平面栅SiC-MOSFET技术开发，其性能指标接近沟槽栅SiC器件水平。目前，第Ⅳ代芯片已送客户评测，预计2025年实现规模化量产。

在8英寸SiC领域，士兰微的“士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片生产线”项目也取得重要进展。士兰集宏8英寸mini line已成功通线，Ⅱ代SiC芯片在8英寸产线上试流片成功，其参数表现与6英寸产品匹配，且良品率显著提升。士兰集宏主厂房及其他建筑已完成封顶，正在进行净化装修，预计2025年第四季度全面通线并试生产，以应对2026年车用SiC市场的快速增长需求。

士兰微成立于1997年，总部位于杭州高新技术产业开发区，是国内集成电路设计行业的领军企业。公司采用IDM模式，产品涵盖功率半导体、传感器、MCU和LED等多个领域。近年来，士兰微在SiC领域加速布局，通过“双线作战”策略，快速响应市场需求并瞄准未来车规级芯片市场。此外，公司通过多轮增资优化资本结构，如将子公司“士兰集宏”注册资本增至42.1亿元，并与厦门半导体共同增资16亿元扩建士兰集科。