随着人工智能、高效能运算和边缘应用需求的不断增长，日本半导体测试巨头爱德万测试近日推出了T5801超高速DRAM测试系统。

该系统专为支持GDDR7、LPDDR6和DDR6等最新高速存储器技术而设计，预计将于2026年初全面上市。

T5801测试系统采用了创新的前端单元测试架构，针对次时代DRAM模块的严格需求，实现了业界领先的36Gbps PAM3与18Gbps NRZ性能。

该系统建立在爱德万测试其他领先的DRAM测试解决方案基础之上，包括已获验证的T5503系列与V93000HSM系统。

T5801测试系统具有两大亮点：首先，它支持PAM3，成为JEDEC标准DRAM中的首例，展现了爱德万测试在存储器创新方面的技术实力，也是实现AI环境中超低延迟表现的关键。

其次，该系统采用可扩充的测试基础架构，能够无缝衔接工程研发与生产流程，提供灵活配置，并与现有的分类机和界面完全兼容。

目前，T5801 DRAM测试系统已获部分存储器战略客户采用，预计将于2026年初在全球市场推广。