科林研发宣布，其创新的乾式光阻技术已成功应用于28纳米间距的后段逻辑制程，适用于2nm及以下先进制程，并得到纳米电子与数码技术领域领导机构Imec的认证。

该技术作为先进图案化手段，提高了极紫外光（EUV）微影的分辨率、生产量和良率，是生产下一代半导体元件的关键。

科林研发技术长Vahid Vahedi表示，乾式光阻技术提供低缺陷率、高分辨率的图案化，对先进半导体元件的制造至关重要。

随着技术节点推进，晶体管的特征和间距持续缩小，乾式光阻技术克服了EUV曝光剂量和缺陷率之间的权衡，优化了图案化。

在Imec，该技术与低数值孔径EUV机台配对，并可扩展至高数值孔径设备，提高EUV灵敏度和分辨率，改善成本、效能和良率。

此外，乾式光阻比湿式化学光阻制程更节能，材料消耗减少五到十倍，具有显著的永续性优势。科林研发的技术优于湿式光阻，缺陷率低，成本具竞争力。