据报道，中国长鑫存储在10纳米DRAM上成功导入D1z制程，并量产DDR5存储器，此举引起了三星电子的高度关注。

三星已开始调查长鑫存储的开发和量产状况，以了解竞争对手的技术动态。

D1z制程是DRAM制程中的一种，其线宽较D1x、D1y更窄，能在相同面积中放入更多储存单元，提升芯片密度并降低功耗。

长鑫存储此前已采用D1x和D1y制程，此次导入D1z制程标志着其技术快速进步。

尽管长鑫存储的DDR5效能目前仍不及三星和SK海力士，但其技术发展和量产速度已超出业界预期。市场推测，长鑫存储将积极导入先进制程以提升DDR5效能。

存储器市场的激烈竞争已对三星的业绩表现产生影响。为拉开与竞争对手的差距，三星决定从技术方面入手，重新设计D1a DRAM，并考虑重新检视D1c、D1a的设计以提升新一代存储器的良率。