长鑫存储据传将大幅扩张DRAM产能并成功量产DDR5，引发韩国业界关注。然而，由于长鑫存储未上市，其DRAM研发和生产蓝图一直较为神秘。

韩国研究员指出，尽管长鑫存储过去四年扩大了晶圆产能，但DRAM单一晶圆的生产容量并未显著提升。以生产设备为基准的市占率将达14%，但以容量为基准可能仅为7%。

半导体业界表示，应警惕中国企业进入市场，但不必过度紧张。重要的是确保生产效率，如果良率不足、无法形成规模经济，进入市场将无太大意义。

近期盛传长鑫存储量产的DDR5也可能面临良率问题，且在美国限制下，中国业者难以引进先进设备，双方技术及成本差距可能进一步拉大。

此外，TechInsights的拆解报告显示，华为Mate 70 Pro搭载的LPDDR5X及NAND Flash都是SK海力士的产品，也间接证明长鑫存储技术的不确定性。

韩国业界认为，中国业者在降低成本方面大幅落后，主要因为生产效率和良率问题。而长鑫存储能持续投入先进制程研发并扩大产能，得益于政府的补助。