随着生成式AI技术的快速发展，中国DRAM需求持续增长。市场调研显示，中国DRAM制造商长鑫存储正逐步缩小与全球领先企业的差距。

尽管面临技术瓶颈和美国限制，长鑫存储在2024年已占全球DRAM总产能13%，并预计在2025年产能将接近美光。

长鑫存储需实现高介电金属闸极晶体管技术以提升性能，目前LPDDR4良率约80%，而DDR5良率尚待提升。公司已进入移动市场，充分利用中国庞大需求。生成式AI与电动车市场为中国内存产业带来新机遇，特别是在中低阶市场。

美国对华半导体设备出口管制促使中国加速设备与材料本土化。尽管存在挑战，但中国有望在未来1-2年内扩展设备本地化。

中国内存产业的崛起可能改变全球市场格局，持续的技术创新与国际化策略将成为攻关关键。中国有望在中低阶市场建立稳固地位。