海外媒体报道显示，伴随中国大陆半导体自主化进程的飞速推进，长鑫存储在 DRAM 市场的占有率节节攀升，对原有市场格局产生了强烈冲击。 据市场机构估算，长鑫存储持续扩产，其在成熟产能供给端的占比将达到30%至50%，有望成为成熟存储器市场的主要供应商。

2022 年，长鑫存储迈入 G3 制程量产阶段，如今正全力迈向 G4 制程，其 2025 年新增产能将精准锚定 LPDDR5 及 DDR5 市场，聚焦服务器与智能手机领域。

尽管与全球前三大存储器厂商相比，长鑫存储在 EUV 设备应用上存在差距，但凭借自身技术积累，仍有 1 至 2 代的提升潜力，有望从 G4 制程向更先进的 1a 或 1b 制程突破。

产能扩充是长鑫存储发展的关键驱动力。2024 年第四季度总产能约 21 万片，G3 与 G2 及以下制程各占半壁江山。2025 年计划扩产约 9 万片 G4 制程，北京二厂和合肥二厂分别承担 4 万片与 5 万片的重任，主要用于生产 LPDDR5 及 DDR5，届时投片占比将达 30%甚至更高，有望成为成熟存储器市场的核心供应商。

然而，长鑫存储的发展之路并非坦途。其 G4 制程在生产 DDR5 时成本效益欠佳，在 LPDDR5 市场的价格冲击预计 2025 年下半年初见端倪，2026 年上半年达到峰值。

同时，主要供应内需市场的长鑫存储，良率虽暂不明确，但凭借积极扩产策略，已对 DDR4 及以下存储器报价形成压力，有力地改变了全球 DRAM 市场的供需平衡。