南亚科总经理李培瑛预测，2025年DRAM市场将在上半年触底反弹。随着中国存储器厂量产规模扩大和川普政府即将上台，南亚科计划提升DDR5产品比重以抢占商机。

目前，南亚科在中国地区的销售占比已降至20%，但外销厂商仍偏好其产品。预计上半年，价格较高的DDR5产品占比将提升至20%。同时，南亚科正在开发AI边缘运算存储器，预计2026年底前完成验证或小量出货。

李培瑛表示，DRAM市场复苏将受到三大因素影响：需求触底、库存改善和区域经济刺激方案。在供给端，2025年DRAM供给将增加，业界将提高HBM和DDR5的占比，以消耗一般DRAM产能并改善库存状况。

针对长鑫存储的冲击，李培瑛认为，南亚科与其产品具有明显区隔，且中国大陆销售占比已降低。南亚科将全力推进DDR5及边缘AI产品，以提高竞争力。

此外，南亚科与补丁科技合作开发的超高带宽存储器（类HBM）预计将在2026年底前完成验证出货。李培瑛表示，南亚科将透过晶圆堆叠和矽钻孔技术完成类HBM生产，并交付客户。