英飞凌科技推出512 Mbit抗辐射加固QSPI NOR快闪存储器，专为太空和极端环境设计。该元件采用快速四串行周边界面（133 MHz），具有高密度、高辐射效能，完全通过QML认证，可与太空级FPGA和微处理器配合使用。

该存储器由美国空军研究实验室太空飞行器局资助，与Microelectronics Research Development公司共同开发，基于英飞凌SONOS电荷闸阱技术，运行速度提高多达30%。

英飞凌航太与国防业务副总裁表示，此次扩展至抗辐射加固存储器产品组合，进一步证明了英飞凌致力于提供高度可靠、高效能存储器来满足下一代太空需求的承诺。

该存储器具有高达10,000P/E的耐用性和长达10年的数据保存期，提供高数据传输速率，采用陶瓷QFP（QML-V）和塑胶TQFP（QML-P）两种封装，满足最严格的业界资格认证要求。

此外，该元件还为太空FPGA引导代码解决方案提供了最高密度的TID/SEE效能组合，已上市销售。