12月30日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（股票代码：2577.HK）在香港联合交易所成功上市，成为全球首家量产8英寸硅基氮化镓（GaN）晶圆的公司。

此次上市，英诺赛科全球发行了45,364,000股，发行价格为每股30.86港元，成功募资约14亿港元。公司吸引了包括STMicroelectronics在内的多个知名机构投资者，合计投资金额达到7.75亿港元。上市首日，股价上涨至32.15港元，涨幅超过4%，市值突破282亿港元，市场表现不凡。

英诺赛科董事长骆薇薇博士在接受采访时表示，公司始终坚持技术创新，致力于推动氮化镓技术的全球化应用。她坚信，GaN技术不仅能提高能源效率，还将为全球客户带来更加绿色环保的解决方案。

随着氮化镓在全球市场的渗透不断加深，英诺赛科凭借其在氮化镓半导体领域的持续创新和产业规模化优势，稳居行业领军地位。根据市场预测，氮化镓功率半导体在2028年将占全球市场份额的10%以上。作为全球最大的氮化镓生产基地，英诺赛科已经具备了每月12,500片晶圆的生产能力，进一步巩固了其在成本和技术上的竞争力。