中国存储器扩产影响韩企,通用存储器寒冬或延续至2025上半年
来源:赵辉 发布时间:一周前 分享至微信
由于智能手机和PC等终端需求减少,通用存储器市场持续不振。然而,中国存储器业者迅速扩大产能,以低价竞争,这对三星电子和SK海力士的2025年业绩可能产生重大影响。
据报道,中国业者长鑫存储和福建晋华正在以市场价格一半的价格出售DDR4 8Gb DRAM,导致通用存储器价格暴跌。
此外,长鑫存储在DRAM领域的扩产计划也相当惊人,预计2025年将月产量增至30万片,相当于全球第三大DRAM业者美国美光的85%。
据报道,长鑫存储成功量产了先进存储器DDR5,进一步加剧了韩国业界的危机感。中国金百达、光威两家业者近期也在电商平台上架了使用长鑫存储DDR5晶粒组装的国产DDR5产品。
与此同时,HBM市场则呈现出截然不同的景象。全球DRAM市场HBM所占比重逐年上升,预计2025年将提升至34%。
SK海力士计划2025年上半年量产16层HBM3E,并正式推出16层HBM4。三星也计划在HBM4领域急起直追,通过堆叠更先进的DRAM技术,盼以更高的效能逆转局势。
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