云南锗业近日宣布，其控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司（简称“鑫耀半导体”）成功通过增资扩股，引入两大知名投资者——深创投制造业转型升级新材料基金和远致星火私募股权投资基金。

此次融资中，深创投基金出资3亿元，远致星火投入1亿元，共计4亿元增资。新增注册资本1.6亿元后，深创投基金与远致星火分别持有鑫耀半导体25%和8.33%的股权，进一步优化了股东结构。

鑫耀半导体专注于砷化镓和磷化铟等半导体材料的研发与生产，已在云南建成高端晶片制造线，年产砷化镓抛光晶片30万片（4英寸）及磷化铟衬底5万片。此次融资将为公司研发、生产和设备扩建提供强大动力，助力其巩固市场竞争力。

值得注意的是，鑫耀半导体原股东华为旗下哈勃科技在此次增资后持股比例降至6.23%，但依然保持战略参与地位。