美光CEO Sanjay Mehrotra表示，美光将与台积电合作，采用先进逻辑代工技术生产定制化HBM4E存储器，为美光存储器业务带来革命性转变。美光预计，这种定制化供应将提升其财务业绩。
美光在2024年末发布HBM4和HBM4E计划最新进展。HBM4存储器拥有2048位元界面，预计2026年量产，适用于AI、HPC等应用。HBM4E则将在未来几年推出，提供更高的数据传输速率和定制化基础芯片选项，标志着存储器行业的新典范。
美光表示，HBM4将使用1β制程DRAM，提供每堆叠1.64 TB/s的峰值理论带宽。此外，美光计划与NVIDIA、AMD等GPU推出时间相吻合，满足AI和HPC应用需求。
同时，美光透露其12层HBM3E堆叠已接受客户测试，反馈积极。预计超微和NVIDIA将采用该堆叠处理AI和HPC工作负载。
另一方面，SK海力士决定将其HBM4制程从5纳米改为3纳米，预计2025年下半开始向NVIDIA供货。通过与台积电合作，SK海力士旨在应对技术挑战，拉大与三星的差距，强化市场地位。
