截至10月底，北京市政府投资基金已完成对139个项目的投资决策，其中，北京晶格领域半导体有限公司获得了重点投资，进一步加快了液相法SiC衬底的研发和生产进程。

晶格领域专注于碳化硅（SiC）衬底的研发与生产，其在顺义已建成的液相法SiC衬底中试线，经过此次资金注入，将加速小规模产线建设，并预计在2025年初完成整条生产线的建设。该产线不仅涵盖了碳化硅晶体的生长、加工和检测等全流程，还初步建成了6至8英寸的小规模生产线，年产量有望达到27万片，预计到2025年年产2.5万片SiC衬底。

晶格领域凭借其自主知识产权的液相法碳化硅单晶生长技术，提升了晶体质量并降低了生产成本。它的高质量4H-p型碳化硅和3C-n型立方碳化硅衬底的研发，将为国内外的半导体产业提供强有力的技术支持。此次投资不仅彰显了北京市对半导体产业的重视，也进一步推动了我国在新材料技术上的自主创新和突破。