近日，比利时微电子研究中心Imec在国际电子元件会议IEDM上宣布了一项技术革新。

他们成功地将高性能的磷化铟（InP）小芯片整合到12寸射频硅中介层上，这一突破性的技术进展有望为未来的通讯和雷达传感系统带来显著提升。

Imec的研究团队利用射频硅中介层技术，将InP小芯片与硅基晶圆级封装技术相结合，实现了高效能的异质整合。

实验结果显示，整合后的InP小芯片在140GHz频段下的插入损失极低，仅为0.1dB，同时，当这些芯片被组装成二级功率放大器时，其性能依然卓越，没有出现任何衰退。

Imec的这一技术突破得益于他们在硅中介层技术和2.5D先进封装领域的深厚积累。他们通过创新设计，成功地在硅中介层中增加了多个低损耗的射频层，并利用微小的内连导线实现了毫米波信号的超低损耗布线。

这一创新不仅大大降低了InP小芯片与射频中介层间的互连损耗，还为紧凑型整合提供了可能。

Imec的这一研究成果对于高频通讯和雷达传感应用领域具有重要意义，它将为开发更高频段、更高效率的模块提供强有力的技术支持，推动整个行业的快速发展。