东部高科携手LB Semicon,共推碳化硅与氮化镓技术创新
来源:ictimes 发布时间:2024-12-05 分享至微信

韩国半导体行业迎来重要合作!东部高科(DB HiTek)宣布将与封装厂商LB Semicon共同开发碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体产品。这一合作旨在充分发挥双方优势,加速新型功率半导体的研发与市场应用。


SiC和GaN半导体因其高耐热性与高电压特性,正逐渐取代传统硅基技术,成为能源存储系统(ESS)及人工智能(AI)等前沿领域的重要支撑。东部高科今年持续发力,计划在年末完成GaN量产准备,并预计2024年初投入运营。同时,公司已投入资源建立8英寸SiC试点工艺,目标在2026年实现大规模量产,届时月产能有望提升23%,达到19万片。


这一合作背后,东部高科还通过与三星电子及SK Siltron等企业的战略合作,致力于“化合物功率半导体先进技术开发项目”,为行业树立了技术标杆。LB Semicon的加入,将进一步巩固其在封装与测试环节的优势。


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