日本名古屋大学的研究团队近日公布了一项创新研究成果，提出了一种提升LED亮度且不牺牲效率的全新方法。这项突破性技术不仅能够降低LED的生产成本，还能显著减少其对环境的影响。相关研究论文已发表在《激光与光子学评论》期刊上，文章标题为《How to Make Semi-Polar InGaN Light Emitting Diodes with High Internal Quantum Efficiency: The importance of the Internal Field》。

铟镓氮化物（InGaN）LED被广泛认为是最为高效的光源之一，但它们通常仅能在低功率下保持较高的效率，若要提高亮度，往往需要增加功率。然而，功率的提升往往导致效率的下降，这一现象被称为“效率下滑”。传统的解决方案是扩大LED的面积来提高光输出，但这同时会导致生产成本的上升和环境影响的加剧。

为此，研究人员通过对InGaN层进行倾斜，并采用不同的切割方向来调整晶体的极化特性，成功解决了这一问题。在使用蓝宝石基底的实验中，这种新型的（101̅3）方向的LED能够在更高功率下保持更高的效率。

这一发现为未来的LED技术发展提供了新的思路，尤其是对于Micro LED显示屏、汽车照明、可见光通信以及虚拟现实（VR）眼镜等领域的应用具有重要意义。研究人员认为，未来可能很难找到比这种切割方向更优的方案，尤其是在蓝宝石基底上。