随着Blackwell量产加速，HBM3E产能将迎来大幅提升。2024年HBM供给已呈现2倍速增长，而2025年预计位元产出将实现倍数成长，特别是12层HBM3E将成为产业供给主力。
国际DRAM大厂因NVIDIA等客户对HBM产能的强劲需求而信心倍增。SK海力士和美光已明确表示2024~2025年HBM产能基本售罄，其中SK海力士在12层HBM3E上再度领先量产，预计2025年上半年其比重将超过HBM3E总出货量的一半。
三星电子也在8层和12层HBM3E上开始量产，并完成了某大客户的验证，有望进一步扩大销售。尽管三星的8层和12层HBM3E产能供给接近各半，但其产品已获得有条件通过，并有望供应给NVIDIA的H200。
2024年HBM平均价格涨幅约10%，主要受8层HBM3E下半年出货大幅成长推动。而2025年价格涨幅将取决于12层HBM3E，预计全年涨幅可达15~20%。
由于HBM3E单颗晶粒容量提升至24Gb，比HBM3的16Gb提高了50%，大规模HBM3E量产将消耗更多DRAM整体产能。在同一技术节点下，HBM3E消耗晶圆量约为DDR5的2~3倍，且平均良率较低，这将进一步排挤DDR5和LPDDR5的产能。
