三星3纳米芯片良率不佳,或找台积电代工
来源:ictimes 发布时间:15 小时前 分享至微信
近期,三星自研的3纳米芯片制程问题频出,据多方消息透露,其良率过低,导致Exynos 2500处理器难以顺利量产。
据了解,三星的第二代3纳米GAA芯片自今年6月起就传出良率不佳的消息,当时良率仅约20%,且至今未见显著改善。
事实上,这一困境已经对三星的产品线产生了实际影响。消息称,原本计划搭载在三星S25系列手机上的Exynos处理器,由于良率问题,将不得不改用高通骁龙8 Elite芯片。此外,三星正考虑将Exynos芯片的生产委托给台积电。
更为严重的是,三星的芯片良率问题还导致其失去了原本的高通订单。据《wccftech》报道,高通原本向三星下单生产Snapdragon 8 Elite芯片,但由于三星的3纳米GAA芯片良率远未达到预期目标,高通最终选择了与台积电合作。
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