功率半导体与车用芯片领导企业英飞凌近日宣布突破矽功率晶圆制造技术，推出厚度仅为20微米的12寸矽功率晶圆。这一新技术可大幅降低电力系统中的功率损耗，提高能源效率和功率密度，对英飞凌来说是一个快速成长的商机。

据悉，目前最先进矽功率晶圆厚度为40~60微米，而英飞凌新推出的矽功率晶圆厚度仅为现有的一半。

新技术可使MOSFET功率半导体导通阻抗RDSon降低40%，对40V及以下电压范围内的业者有很大吸引力。此外，更薄的晶圆还可以更轻松地达成背面电源连接，提高50A中的效率3%。

英飞凌表示，该技术不仅适用于AI数据中心，还可应用于消费性、马达控制和运算应用等领域的电源转换解决方案。

尽管增加了额外的制程步骤，但该技术与英飞凌2016年推出的40um晶圆制程相似，没有增加制造复杂性或需要额外的资本支出。

英飞凌预计，在未来3~4年内，该技术将取代现有低压功率转换器传统晶圆技术。财报数据显示，英飞凌电力与传感器系统部门营收季增5%，主要动能来自服务器和数据中心领域组件，以及USB控制器和矽元件麦克风需求的不断成长。