三菱电机推出新型SiC-MOSFET裸片,助力xEV性能提升
来源:ictimes 发布时间:2024-11-17 分享至微信

三菱电机集团宣布,自11月14日起提供用于电动汽车(EV)、插电式混合动力汽车(PHEV)等xEV电驱逆变器的碳化硅(SiC)MOSFET裸片样品。这款SiC-MOSFET功率半导体芯片是三菱电机首款标准规格产品,旨在满足xEV逆变器多样化需求,推动xEV普及,助力全球脱碳。


新型SiC-MOSFET裸片采用特有的沟槽栅技术,与传统平面栅SiC-MOSFET相比,功率损耗降低约50%,导通电阻更低,开关损耗减少,显著提升逆变器性能,延长xEV续航里程,降低电力成本。三菱电机在Si功率半导体芯片制造领域积累的先进小型化技术和独特制造工艺,如栅极氧化膜工艺,进一步增强了逆变器的耐用性和xEV性能。


三菱电机自1997年开始量产xEV功率半导体模块,对提高逆变器可靠性和解决小型化问题做出了贡献。2024年3月,公司推出采用最新压注模技术实现小型化设计的J3系列xEV功率半导体样品,广泛应用于汽车市场。


主要规格包括额定电压1200V和750V,导通电阻分别为9.0mΩ和7.8mΩ,正面和背面电极均兼容焊料键合和银烧结键合。样品价格依据报价,样品自2024年11月14日起提供。


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