三星推出了业界首款24Gb（3GB）GDDR7 DRAM内存芯片，其速度达42.5Gbps，专为下一代高性能GPU设计。

与三星此前推出的GDDR7内存相比，这款新IC的带宽提升了25%，相较于上一代18Gbps的GDDR6产品，更是实现了2.36倍的速度增长。

三星通过采用PAM3信号技术，利用三个信号级别（-1、0、+1）来传输数据，成功地将内存速度推向了新的高度。在特定条件下，这款内存甚至能够突破42.5Gbps的速度大关，比当前顶级的GDDR6X内存（24Gbps）快了近80%。

除了速度上的显著提升，三星还在效率和密度上进行了大幅优化。新款GDDR7内存采用了第五代10nm节点制造工艺，使得在相同封装尺寸下，密度提高了50%。

同时，通过时钟控制管理和双电压（VDD）设计等技术，三星宣称其新款内存的效率比上一代提高了30%。此外，电源门控设计的应用也有效解决了电流泄漏问题，进一步提升了整体性能。