东芝集团计划通过子公司Toshiba Electronic Devices & Storage，于2024年度进军氮化镓（GaN）功率半导体市场，并预计在2026年推出常关型GaN功率半导体，以满足AI服务器市场的需求。

据日刊工业新闻报道，东芝首款GaN功率元件将具备650V耐压和35mΩ导通电阻，采用独创的常开型元件与叠接结构，可控制切换时的电压变化，确保高阈值电压，降低错误操作风险。

常关型GaN功率半导体在未施加电压时不会导通电流，具有快速切换速度的优势，可实现高效电力转换，使产品更小型化。

该产品主要针对AI数据中心，通过关闭不必要的电源大幅降低功耗，同时缩小服务器电源尺寸，提高电力转换效率，降低耗电量。

东芝此举旨在利用GaN功率半导体的优势，满足AI服务器市场对高效、小型化电源的需求，推动AI技术的发展。