市场调研机构TrendForce在“AI时代半导体全局展开──2025科技产业大预测”研讨会上预测，随着全球前三大HBM厂商持续扩大产能，2025年全球HBM产能将同比大涨117%。
这一增长主要得益于英伟达（NVIDIA）新产品逐步转向12层HBM3e，预计HBM3e将取代HBM3成为主流产品，占整体HBM市场需求的89%。HBM3e的平均售价（ASP）约为传统DRAM产品的3-5倍，随着产能的持续扩张，其营收贡献将逐季增长。
目前，SK海力士、美光、三星等三大存储芯片厂商的12层HBM3e产品都在向英特尔送样验证阶段，预期后续验证完成、良率提升后，出货量将大幅提升。
对于NAND Flash市场，TrendForce研究经理敖国锋表示，NAND Flash供应商在经历2023年巨额亏损后，资本支出转趋保守，同时，DRAM和HBM等存储产品需求受惠于AI浪潮，将排挤2025年NAND Flash设备投资，缓解过去严重供过于求的市场状况。
AI应用对高速、大容量存储的需求日益增加，也将推动Enterprise SSD (eSSD)市场的蓬勃发展。这一预测显示了HBM技术在高性能计算和AI应用中的重要作用，以及其在半导体市场中的增长潜力。
