方正微电子，作为第三代半导体领域的IDM企业，宣布其Fab1生产基地的6英寸SiC晶圆产能已达到每月9000片，并计划到2024年底提升至1.4万片，预计2025年将具备年产16.8万片车规级SiC MOS的能力。此外，公司GaN产能已达到每月4000片。
方正微电子还计划在2024年底启动Fab2的8英寸SiC生产线，长远规划产能为每月6万片，目前其车规级SiC MOS生产能力在中国排名第一。
公司产品线全面覆盖新能源汽车应用，包括主驱逆变控制器、OBC、DC/DC转换器等，其车规级1200V SiC MOS产品已在新能源汽车主驱控制器上大规模应用。方正微电子表示，其1200V SiC MOS产品性能已达国际主流水平，核心性能指标与国际高端新能源车应用的SiC MOS产品相当，部分指标更领先，满足新能源汽车需求。
自2023年一季度起，方正微电子的1200V工规级SiC MOS/SiC SBD系列产品已大规模量产，应用于光伏、储能等领域，至今已出货超过4万片SiC晶圆。这表明方正微电子在SiC领域的技术实力和市场竞争力，为新能源汽车及其它工业应用提供了强有力的半导体支持。
