南亚科力推DDR5新品,目标超越20纳米DDR4
来源:ictimes 发布时间:5 天前 分享至微信

南亚科总经理李培瑛表示,公司当前的首要任务是确保DDR5新品顺利量产并推向市场。尽管南亚科在2024年面临亏损局面,但AI相关需求和DDR5市场需求依然稳健。


南亚科10纳米第二代制程(1B)技术DDR5已开始投片,预计2025年第1季其效益将超过20纳米DDR4。随着良率改善和产品转换,DDR5位元产出比重将达到30~50%。


尽管第3季单季亏损扩大,但南亚科第4季营运状况有望与第3季持平或稍好。新制程与新产品投片成本增加,但DDR5市场需求热络,位元价格有望高出30~50%。


李培瑛强调,AI服务器应用需求持续旺盛,占市场需求的1/3,而PC、手机及消费型电子产品需求复苏力度不足。南亚科将加速新制程、新产品推向市场,10纳米级第二代制程(1B)技术8Gb DDR4与16Gb DDR5产品将如期量产。


在供给方面,三大原厂及主要供应商持续转进HBM、DDR5与先进制程,常规DRAM产品仍需去库存。李培瑛认为,库存去化将比预期时间更长,需再观察至少1个季度,2025年上半年供需才有望明朗。

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