存储市场未来走势现分歧。摩根士丹利看坏DRAM市况，预期HBM市场2025年可能供过于求；而TechInsights则预计AI将带动存储市场显著增长。厂商表现亦分化，美光财报亮眼，金士顿则启动降价策略。

新技术亦影响存储行业发展。HBM需求畅旺，DRAM和NAND Flash面临挑战，而FeRAM、ReRAM、MRAM和PCM等新型存储技术被寄予厚望。

摩根士丹利认为HBM将供过于求，而TechInsights则预计HBM出货量将同比增长70%，数据中心NAND需求也将增长。美光、三星看好HBM市场，而金士顿等厂商则面临库存压力。

尽管市况存疑，但AI相关存储产品需求依然旺盛，特别是高端HBM产品。SK海力士已量产12层HBM3E新品，三星也将大规模供货8层HBM3E芯片，并计划试产HBM4。美光亦在积极推进HBM开发制造。

此外，MRDIMM开始进入市场，适用于内存密集型应用，如AI推理、模型再训练等。美光已开始送样MRDIMM模块，英特尔至强6性能核处理器也支持MRDIMM。

新型存储器市场亦开始增长，预计到2032年将攀升至约440亿美元。RRAM、MRAM等新型存储技术在安全存储、人工智能等领域具有显著优势，成为下一代内存的主要竞争者。