新思科技公布1.6纳米背面布线项目
来源:ictimes 发布时间:2024-09-30 分享至微信
新思科技(Synopsys)与台积电再度携手,共同揭开了1.6纳米背面电源布线项目的神秘面纱,这一创举无疑为万亿晶体管芯片时代的到来铺设了坚实的基石。
双方正紧密合作,针对台积电A16 1.6纳米工艺,研发出革命性的背面布线功能,旨在解决万亿级晶体管设计面临的电源分配与信号布线挑战,开启了芯片设计与制造的新纪元。
面对日益复杂的物理验证需求,新思科技推出的互操作工艺设计工具包(iPDK)及IC Validator物理验证运行集,为设计团队提供了强有力的支持,助力其高效跨越至台积电N2 2纳米技术。尤为关键的是,针对功率这一多芯片设计的核心要素,双方的合作成果显著,为构建高性能、低功耗的芯片奠定了坚实的基础。
联发科等行业巨擘亦紧随其后,在台积电平台上利用先进的人工智能驱动EDA流程开发2纳米芯片,而台积电、新思科技与Ansys的强强联合,更是通过创新的多物理场流程,有效解决了散热与功耗完整性的难题,为芯片设计的全面发展注入了新的活力。
台积电生态系统与联盟管理部门主管Dan Kochpatcharin对此高度评价,他强调:“与新思科技的紧密合作,不仅加速了EDA与IP解决方案的创新步伐,更为我们共同客户带来了前所未有的生产效率提升与卓越性能表现。这一合作成果,无疑是对先进人工智能芯片设计领域的一次重大贡献。
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