中企OSAT加速扩产,通富微电引领先进封装新篇章
来源:ictimes 发布时间:18 小时前 分享至微信
随着AI、5G等新兴技术的推动,国内OSAT大厂如通富微电等正通过并购海外先进企业,加速消化吸收并自主研发先进封装技术,积极参与国际竞争。
通富微电在江苏南通的新建通达厂,预计2029年投产,将聚焦晶圆级、面板级等先进封装技术,进一步拓展其先进封装版图。
作为国内封测领域的佼佼者,通富微电已在南通、苏州等地布局多个生产基地,并斥资百亿元打造存储器封测与先进封装基地。其通达厂项目总投资75亿元,预计投产后将大幅提升IC先进封装产品的产能,重点服务于通讯、存储器、AI算力等领域。
尽管国内先进封装市场占比仍不及全球水平,但国产替代的需求及市场的高速成长,正促使中企OSAT业者加快扩产步伐。
通富微电等企业的积极行动,不仅提升了国内封测产业的国际竞争力,也为我国半导体产业的自主可控发展贡献力量。
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