随着7nm乃至5nm制程节点的临近，传统光刻方法的局限性日益凸显，无法满足复杂芯片设计对图形精度的极致追求。在此背景下，反向光刻技术（ILT）凭借其逆向优化的独特思路，成为突破这一瓶颈的关键钥匙。
ILT技术以目标芯片图案为起点，逆向推导最优掩模图案，其灵活性和精准度远超传统方法，为先进制程的图形精度提供了有力保障。在光刻设备受限的国内环境中，ILT技术的重要性更加凸显，成为提升制造良率、降低生产成本的关键所在。
作为ILT技术领域的先行者，东方晶源凭借深厚的技术积累和创新能力，成功攻克了ILT技术的多项技术难题。其ILT解决方案采用GPU集群高性能计算，实现了全芯片级别的掩模优化，显著提升了计算效率和精度。同时，东方晶源还独创了混合掩模优化方法，引入人工智能加速技术，进一步缩短了运算时间，提高了优化结果的准确性和一致性。
东方晶源ILT解决方案的革新亮点主要体现在三个方面：一是通过混合掩模优化方法降低计算复杂度，提升整体效率；二是利用人工智能技术实现近十倍的提速，确保快速响应市场需求；三是支持多种复杂度的掩模设计，满足不同客户和应用场景的需求。此外，其PanGen ILT®平台还展现出卓越的工艺窗口扩展能力，相比传统OPC结果工艺窗口增大超过10%，为先进制程的研发和应用提供了强有力的支持。
