韩国电子与电信研究所（ETRI）的科研团队近日宣布了一个进展，他们成功开发出一种在室温下可以简单沉积的p型硒碲（Se-Te）合金晶体管。这项技术利用基于硫系的p型半导体材料，使得晶体管的制造工艺更加高效和经济。

更令人振奋的是，研究人员还发明了一种新技术，能够通过精确控制n型氧化物半导体与p型碲（Te）异质结构中的碲薄膜的电荷注入，系统性地调节n型晶体管的阈值电压。这一发现不仅提升了晶体管的开关电流比，还显著提高了迁移率，预示着未来显示器和超低功耗半导体设备的性能将达到新的高度。

目前，显示器行业普遍使用的IGZO（铟镓锌氧化物）n型氧化物半导体在高刷新率显示器（如8K和4K）应用上存在局限，尤其是在240Hz以上的刷新率要求下。相比之下，p型LTPS（低温多晶硅）虽有应用，但因加工难度大且成本高昂，制约了其广泛使用。ETRI的突破性技术通过提升p型半导体的性能和经济性，有望打破这一局限，满足日益增长的市场需求。

ETRI的研究不仅为下一代显示器的发展带来了希望，还为半导体行业的未来铺平了道路。特别是在高温工艺限制下，ETRI开发的技术能够在300℃以下稳定运行，为单体三维（M3D）集成的商业化奠定了基础。ETRI的首席研究员赵成行表示，这一成果将对OLED电视、XR设备以及各种电路的未来研究产生深远影响。

ETRI的这一进展标志着半导体技术的新纪元，我们期待它在不久的将来为科技行业带来更多惊喜。