北京君正:下半年推出首颗21nm DRAM产品,持续研发存储芯片
来源:ictimes 发布时间:12 小时前 分享至微信

北京君正在2024年上半年面临了营收和净利润的同比下降,但第二季度表现出环比增长,显示出市场逐步复苏的迹象。尽管全球消费电子市场在不同细分领域需求回升,汽车、工业、医疗等行业市场仍然低迷,影响了公司的整体业绩。北京君正的业务主要集中在行业市场,这导致了营业收入和净利润的同比下降。


在存储芯片领域,北京君正拥有SRAM、DRAM和Flash三大产品线,主要服务于汽车、工业、医疗等行业市场及高端消费类市场。公司预计下半年的市场情况不会比上半年差,且四季度有可能实现同比增长。


北京君正的SRAM产品种类丰富,包括同步SRAM、异步SRAM、高速QDR SRAM等,公司正在努力提高市场份额并推动长期稳定销售。DRAM产品主要针对专业级应用领域,涵盖多种容量规格,公司正在加大DDR4和LPDDR4等产品的市场推广力度。Flash产品线包括NOR Flash和NAND Flash,公司正加大对大容量NOR Flash产品的研发。


值得注意的是,北京君正的首颗21nm DRAM产品预计将于下半年推出样品,并且公司已经开始了20nm工艺DRAM产品的研发。这些进展表明,北京君正正在积极推进技术与产品的研发,加强市场推广和客户拓展,以期在存储芯片市场中占据有利地位。


公司坚持“计算+存储+模拟”的产品战略和“内循环+外循环”的市场战略,不仅在存储芯片领域,还在计算芯片、模拟与互联芯片产品线上进行了积极拓展。北京君正对车规LED驱动芯片的增长空间持乐观态度,并预计全球市场规模将达到二三十亿美金。随着行业市场的逐步复苏,北京君正的Flash产品线有望实现显著增长。

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